地了不起。
但当江凡真正亮出要做的东西并加以确认时，纵使是他这个和芯片打了一辈子交道的半导体教父元老都惊诧了。
跳过3纳米，直奔2纳米，普通人连设想都不敢这么设想的，但人家却已经把技术资料都摆在眼前了。
赶超，竟来的如此之快吗？这可是自己一辈子都没有完成的事啊。
张汝金心中有些激动，但他作为一个严谨的工程师，还是急切地想要看看里面实际的内容。
在众人期盼的目光中，江凡打开了资料，他来之前已经找青年人要了微电子技术、微机电系统、集成电路设计等芯片相关2030年左右知识体系的知识贴片，所以讲解起来也毫不费劲。
他做了整体概述性的讲解，并对其中一些核心技术做了深度的一些解读。
就比如光源这块，asml（阿斯麦）的euv光刻机是世界上最牛的光刻机，其光源来自xymer，波长为13.5nm。
但是这13.5nm其实是从193nm多次反射得到的，简单来说，就是用250w功率的二氧化碳激光去轰击滴落下来的金属锡液滴，连续轰击两次后，就能加热并激发出euv等离子体，从而获得波长更短的光。
这一过程每秒得要轰击5万个液滴，而一个金属锡液滴就只有20微米大小，相当于从地球发出的手电筒光线要精准地射到一块在月球上的硬币一样难。
而euv光刻机里面的反光镜，是由德国蔡司制造的，只反射13.5nm的光，一共有40层，每一层的外表都非常平整。
但由于euv的光很容易被空气吸收，每一次反射都会损失掉30%的光强，一顿操作下来，最后就只剩下2%的光强，所以euv光刻机可以说是耗电猛兽。
euv光刻机除了耗电还很耗水，因为轰击金属锡液滴会释放能量，所以每秒钟得有4000升的水来进行冷却，而厂房环境也很严格，每小时得要净化30万立方米的空气。
就以上几点，就可以感觉到造euv光刻机究竟有多难。
但江凡的技术资料里却对这一块做了改进，通过把光源空间做成真空离子态，减少了过程中光源的损耗，一方面节约金属锡等材料和耗电量，另一方面受离子态影响每一次可以一定程度降低光的波长，从而更快获得更短波长的光，降低了难度的同时也获得了更好的精度。
而在冷却体系上也在水中加入了复合液体，使其冷却效果更好，从而又提升
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