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第246章 如果有这一半的速度,再加上这质量…

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举个例子,用5kW微波功率的MPCVD法,可以以10μm/h的速率沉积工具级金刚石薄膜,以8μm/h的速率沉积热沉级金刚石薄膜,以3μm/h 的速率沉积光学级金刚石薄膜。

而用10kW微波功率的时候,他的沉积速率可以达到25μm/h。

也就是说,通过增大微波功率,可以提高金刚石薄膜的沉积速率。

除此之外,金刚石薄膜的沉积速率还和气体压力有关。

在高微波功率,高的甲烷与氢气体积流量比,160Torr气体压力下,可以制备出150μm/h的多晶金刚石薄膜。

如果在同等条件下,将压力提高至310Torr下,可以制备出165μm/h的单晶金刚石薄膜。

“气体压力……”

“微博功率……”

陈舟在草稿纸上写下这两个词汇。

拿笔点了两下,随手便划了两个圈。

这是重点。

放下笔,陈舟滑动鼠标,继续看文献的内容。

MPCVD法之所以会成为最广泛的方法,是因为这种方法比DAPCVD法制备的金刚石薄膜质量更好。

很好的解决了膜的致密度不高的问题同时,还可以产生大体积的金刚石薄膜。

此外,这种方法还能在曲面或者复杂表面上进行金刚石薄膜的沉积。

而且MPCVD法无内部电极,可以避免电极放电污染和电极腐蚀。

可以说是满足了制备高质量金刚石薄膜的条件。

但是,就像四十三所实验室的装置一样,MPCVD法的沉积速率是硬伤。

看完了这篇详细介绍MPCVD法的文献后,陈舟不禁想到。

“如果有DAPCVD法一半的速度,再加上MPCVD法的制备质量,那这事不就成了吗?”



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