现实中做实验，需要从节省时间的角度来考虑，而在模拟实验室中就不需要这般考虑，怎么方便怎么来。
当然，这也不是什么非常关键的问题，虽然表述方法不同，但背后的逻辑是一致的。
许秋检查了一下莫文琳的实验规划，发现她在膜厚的优化区间中存在一些问题。
她过多的参考了原先三元底电池，二元顶电池叠层器件的经验。
而实际上，现在发展成为二元底电池，三元顶电池叠层器件后，情况有了很大的不同。
比如，原先三元底电池，二元顶电池的最优条件，是顶电池厚度110纳米，底电池厚度220纳米。
现在的二元底电池，三元顶电池的最优条件是，顶电池厚度130纳米，底电池厚度190纳米。
偏差了20-30纳米的膜厚，反应在器件效率上，可能就会相差1%-2%。
另外，现实中用到的是以浓度、转速作为实验条件的，当体系发生变化后，比如二元体系变更为三元体系，同样浓度、转速下得到的膜厚也会与之前有所不同。
换言之，看似只是把PCBM的位置挪动了一下，实际上前后两个体系的差异已经非常大了，因此需要重新摸索条件。
现在的莫文琳，就相当于在16%等效率线的边缘不断摸索，自然取得难以突破。
许秋要做的事情，就是把她引导到16%等效率线中心的位置，去找到那个可以突破17%的机会。
于是，许秋考虑片刻，说道：“我这边结合之前得到的EQE曲线，用半经验模型分析了一番，最终的结论就是，你可以把顶电池的厚度做厚一些，底电池的厚度减薄一些。当然，也不要把厚度改变的太多。”
“噢，好的，”莫文琳点点头，“那我明天试一试，现在这批器件已经快旋涂好了，就差蒸镀了。”
说完，莫文琳的内心嘀咕着：“半经验模型现在都这么NB了嘛，真的能够指导具体的实验？我一直都以为那是在讲故事呢……不过既然是许秋说的，应该不是在忽悠我吧。”
其实，许秋是在忽悠她，但也不是完全是在忽悠她，总归要给自己的结论冠以一个比较合理的解释嘛。
他这相当于是已知结论，去反推过程，通过外量子效率EQE曲线和光吸收情况，确实是可以计算出理论短路电流密度的。
不过，现实中很少用这种方法，因为当数据量不够充分的时候，每次器件的EQE曲线都会有所偏
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