列的实验参数。
然后起身走到沈靖身旁，把草稿纸甩给了沈靖。
沈靖拿到草稿纸后，微微一愣，旋即开始和方结明沟通，进行模型分析。
陈舟则再次回到座位坐好。
接下来，该轮到n型掺杂和共掺杂的问题了。
n型掺杂和共掺杂的问题，相比于p型掺杂，则要难上许多。
“第一次实现金刚石n型掺杂是在（111）面金刚石衬底上进行的，而且样品在很宽的温度范围内都表现了n型半导体传到特性……”
“在温度500K时，霍尔迁移率在23cm??/（V·s）……”
“但是，相对于（111）面单晶金刚石衬底表面抛光难、缺陷多、尺寸小来说，（100）面取向衬底表面具有原子级的平整程度，缺陷小，外延膜质量也优于（111）面衬底金刚石……”
“可这也并不是绝对的，而且晶面的问题，也不是最为关键的因素……”
想到这，陈舟手中的笔停了下来，习惯性的在草稿纸上点着点。
这是陈舟思路受阻时的表现。
“再梳理一遍文献资料……”
这样想着的陈舟，放下了手中的笔，将目光再次移向电脑屏幕。
手中鼠标的滚轮不断滑动，屏幕上的内容也在不断变化。
但陈舟的眼睛却一眨都不眨。
这些内容，他已经过了一遍了。
现在再看，只是寻找自己有没有漏掉的地方。
好给自己受阻的思路，打开一个缺口。
“磷的掺杂浓度？”
“电子散射机制？”
“不是这部分的内容……”
“……1.7eV？”
“怎么把这个数据忘了！”
看到这个内容时，陈舟的双眼瞬间明亮起来。
n型掺杂，或者说磷掺杂金刚石，之所以难。
是因为磷原子比碳原子大，很难嵌入金刚石晶格。
当磷原子进入金刚石晶格内，会引起晶格扭曲，影响金刚石中的构型、键型和电荷分布。
磷掺杂金刚石中存在大量空位，也会与磷原子形成结合力很强的磷—空位缺陷。
这种缺陷的能级位于金刚石导带底约1.7eV的位置上，可以补偿施主，阻碍磷原子的电离。
进而导致难以获得高质量的磷掺杂金刚石薄膜。
虽然磷
本章未完，请点击下一页继续阅读！